2023年为8 英寸SiC元年

1、山西烁科晶体（Semisic）

• 2、晶盛机电（JSJ）

• 3、山东天岳先进科技（SICC）

• 4、广州南砂晶圆半导体技术（Summit Crystal）

• 5、河北同光（Synlight）

• 6、中国科学院物理研究所

• 7、山东大学

• 8、北京天科合达蓝光半导体（TankeBlue）

• 9、哈尔滨科友半导体（KY Semiconductor）

• 10、杭州乾晶半导体（IV-Semitec）。

作为第三代半导体材料，SiC 具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、优异的导热性能等优点。其在高温、高压和高频应用中的出色性能使其成为半导体材料领域的基石。

在下游需求增长的推动下，SiC 产业正处于高速扩张阶段。TrendForce 分析预测，2023 年 SiC 功率器件市场规模将达到 22.8 亿美元，年增长率高达 41.4%。到 2026 年，这一市场预计将进一步扩大，达到 53.3 亿美元。

目前 SiC 产业以 6 英寸基板为主，占据了高达 80% 的市场份额，而 8 英寸基板仅占 1%。向更大的 8 英寸晶圆过渡是进一步降低 SiC 器件成本的关键策略。

随着 8 英寸晶圆的成熟，其定价预计将是 6 英寸晶圆的 1.5 倍左右，而管芯产量是 6 英寸 SiC 晶圆的约 1.8 倍，大大提高晶圆利用率。

为了降低每个器件的成本，该策略围绕着扩大 SiC 衬底和增加每个衬底的芯片数量。值得注意的是，8 英寸 SiC 衬底比 6 英寸同类衬底具有明显的成本优势。