SiC和GaN半导体公司汇总

发表时间：2023-11-30 10:37

1）详见表格

序号	公司	证券代码	类别	领域	公司介绍
1	三安光电	600703	SiC	衬底	三安集成6英寸SiC晶圆代工产线(SiCMOSFETs)预计2021 年实现量产。拟投资160亿元在长沙建设SiC产业园，涵盖6 英寸SIC导电衬底、4英寸半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET
2	露笑科技	002617	SiC	衬底	与中科钢研、国宏中宇合作SiC衬底、外延片、相关核心工艺装备；正在募集资金用于SiC衬底生产，与合肥市长丰县共同投资建设SiC产业园
3	楚江新材	002171	SiC	衬底	子公司顶立科技(SiC单晶、装备、材料、高纯C粉)
4	天通股份	600330	SiC	衬底	旗下天通凯成SiC衬底材料正在研发阶段。
5	东尼电子	603595	SiC	衬底	SiC衬底产品处于研发打样阶段
6	山东天岳		SiC	衬底	SiC衬底材料。投资方包括华为哈勃、海通开元
7	天科合达	—	SiC	衬底	科创板申报，募投项目投产后年产12万片6英寸SiC衬底(6 英寸导电型SiC衬底约为8.2万片，6英寸半绝缘型SiC衬底约为3.8万片)。投资方包括集成电路大基金、华为哈勃、中和致信基金、德沁资产等
8	可北同光晶	—	SiC	衬底	SiC衬底生产线(4英寸和6英寸导电型、半绝缘SiC衬底) 其中4英寸衬底已达到世界先进水平。河北保定涞源县年产 10万片直径4-6英寸SiC衬底项目签约。投资方包括中国农发重点建设基金
9	中科钢研节俞	——	SiC	衬底	4英寸导电型及高纯半绝缘型SiC衬底，中国钢研科技集团有限公司控股
10	超芯星	———	SiC	衬底	6英寸碳化硅衬底。投资方为同创伟业、磊梅瑞斯资本
11	中鸿新晶		SiC	衬底	中鸿新晶总投资超百亿的三代半导体项目落户济南，6-8英寸SiC衬底、SiC外延生产线各2条。
12	科友半导体		SiC	衬底	6英寸SiC衬底。投资方包括哈尔滨科投、哈尔滨高新技术产业基础设施开发
13	世纪金光		SiC	衬底	高纯碳化硅粉料提纯、6英寸碳化硅单晶、高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET结构及工艺设计。投资方包括集成电路大基金、中芯聚源、天风天容、合肥产投资
14	瀚天天成		SiC	外延	引进德国Aixtron碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备，3英寸、4英寸和6英寸SiC外延晶片。投资方包括厦门高新、赛富基金、中南弘远、惠友投资
15	东莞天域		SiC	外延	**家从事SiC外延片公司，在中国拥有最多的SiC外延炉- CVD,月产能5000件。提供n-型和p-型掺杂外延材料。
16	三安光电	600703	SiC	芯片器件	三安集成6英寸SiC晶圆代工产线(SiCMOSFETs)预计2021 年实现量产。拟投资160亿元在长沙建设SiC产业园，涵盖6 英寸SIC导电衬底、4英寸半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET
17	华润微	688396	SiC	芯片器件	1200V和650V工业级SiC肖特基二极管功率器件产品，6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产
18	扬杰科技	300373	SiC	芯片器件	国宇电子14.95%的股权(中电科55所),SiC芯片、器件研发
19	捷捷微电	300623	SiC	芯片器件	与中科院微电子所、西安电子科大合作研发SiC、GaN半导体器件
20	华微电子	600360	SiC	芯片器件	已开发出SiC-SBD二极管样品
21	斯达半导	603290	SiC	芯片器件	和宇通等联合开发基于SIC的电机控制系统
22	比亚迪半导体		SiC	芯片器件	首家将SiC模块应用于汽车主电控；投资方包括红杉资本、中金资本、国投创新、SK集团、小米集团、招银国际、联想集团、中信产业基金、中芯聚源、上汽产投、北汽产投等30 多家战略投资人
23	泰科天润		SiC	芯片器件	SiC器件，6寸半导体SiC电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。投资机构包括三峡建信、中科招商、广发乾和、拓金资本、辰途资本、遨问创投
24	华天恒芯		SiC	芯片器件	具备量产650V/1200V/1700VSiC肖特基二极管的能力。投资方包括国开行
25	圳基本半导		SiC	芯片器件	SiC功率器件(工业级1200VSiC MOSFET、车规级全SiC功率模块)。投资方包括力合创投、安芯投资、涌铧投资、泓鑫投资、仁智资本、中车时代等
26	上海瞻芯电		SiC	芯片器件	SiC工艺及器件设计、SiCMOSFET驱动芯片设计。投资方包括麦格米特(002851)
27	世纪金光	———	SiC	芯片器件	高纯碳化硅粉料提纯、6英寸碳化硅单晶、高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET结构及工艺设计。投资方包括集成电路大基金、中芯聚源、天风天容、合肥产投资
28	芯长征		SiC	芯片器件	SiC二极管。投资方包括临芯资本、中科创星、动平衡资本达泰资本、中科院创投、大洋机电、TCL资本、君桐资本、钧石资本、青岛高创澳海、责阳工投集团
29	芯光润泽		SiC	芯片器件	SiC功率器件(SBD、MOSFET)。投资方包括国开行、度门火炬
30	美林电子		SiC	芯片器件	SiC功率器件，应用于家电、汽车、工业变频、新能源发电等行业领域。
31	芯科技(Unis		SiC	芯片器件	SiC功率半导体模块及应用解决方案。投资方包括原子创投
32	绿能芯创		SiC	芯片器件	SiC功率器件(SBD、MOSFET),淄博总投资20亿元SiC芯片项目。投资方包括正轩投资、创客总部
33	赛微电子	300456	GaN	外延	子公司聚能晶源8英寸硅基GaN外延材料项目已正式投产。 GaN快充功率器件及应用方案方面已成熟
34	海陆重工	002255	GaN	外延	参股的江苏能华，以GaN外延片(硅基、碳化硅基、蓝宝石基GaN外延片):GaN功率器件产品
35	苏州晶湛		GaN	外延	GaN外延(150mm GaN-on-Si外延片的月产能达1万片)。投资方包括元禾控股、上海湖杉、苏州科技创投、嘉鼎投资等
36	江苏能华		GaN	外延	GaN外延片(硅基、碳化硅基、蓝宝石基GaN外延片), GaN功率器件(HEMT、SDB)。
37	英诺赛科		GaN	外延	8英寸硅基GaN功率与射频器件。投资方包括朗玛峰、招银国际、国民创投、珠海科创投、稳盛投资、华业天成投资、富坤兴业、中天汇富、红树成长等
38	大连芯冠	—	GaN	外延	6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线
39	聚力成	——	GaN	外延	在电力电子领域，6英寸650V/100V硅基氙化镓(GaN-on-Si) 外延；在微波射频领域，碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料
40	中镓半导体		GaN	衬底	GaN半导体衬底，GaN/Al2O3复合衬底、GaN单晶衬底及氢化物气相外延设备(HVPE)等
41	上海镓特		GaN	衬底	用自主研发的HVPE设备生长自支撑GaN衬底(4英寸自支撑 GaN衬底)。投资方包括盛今创投
42	苏州纳维科		GaN	衬底	2英寸、4英寸GaN单晶衬底。投资方包括元禾控股、元禾原点、协立投资、苏州科技创投等
42			GaN	衬底	2英寸、4英寸GaN单晶衬底。投资方包括元禾控股、元禾原点、协立投资、苏州科技创投等
43	芯元基		GaN	衬底	基于其**的DPSS衬底技术，开发低位错密度的高阻GaN衬底材料，可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备。投资方包括中微半导体、创徒投资、张江科投、展毅投资等
44	三安光电	600703	GaN	芯片器件	三安集成硅基氮化镓(GaN)代工服务，6英寸GaN芯片生产线 (年产6万片)。投资333亿元建设“ 泉州芯谷”南安园区三安高端半导体项目，主要包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片。
45	捷捷微电	300623	GaN	芯片器件	与中科院微电子所、西安电子科大合作研发SiC、GaN半导体器件
46	闻泰科技	600745	GaN	芯片器件	收购的安世半导体有GaN功率器件产品(GaN FET)
47	赛微电子	300456	GaN	芯片器件	子公司聚能晶源8英寸硅基GaN外延材料项目已正式投产。 GaN快充功率器件及应用方案方面已成熟
48	海陆重工	002255	GaN	芯片器件	参股的江苏能华，以GaN外延片(硅基、碳化硅基、蓝宝石基GaN外延片),GaN功率器件产品
49	聚灿光电	300708	GaN	芯片器件	主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外延片
50	乾照光电	300102	GaN	芯片器件	氮化镓LED外延片和芯片
51	亚光科技	300123	GaN	芯片器件	有源相控阵雷达、5G通信GaN射频芯片
52	士兰微	600460	GaN	芯片器件	6英寸的硅基GaN功率器件中试线(2017年)
53	国星光电	002449	GaN	芯片器件	公司旗下国星半导体主营业务为蓝宝石基氮化镓的LED芯片、氮化镓产品包含蓝绿显屏芯片，数码用芯片，白光照明芯片，车灯用大功率倒装芯片，UVA紫光芯片等。
54	和而泰	002402	GaN	芯片器件	子公司铽昌科技军用相控阵雷达射频芯片(GaN宽禁带大功率芯片)
55	中电科		GaN	芯片器件	氮化镓微波功率器件和MMIC产品(中电13所、55所、29 所 )
56	苏州能讯		GaN	芯片器件	氮化镓电子器件技术与产业化，采用整合设计与制造 (IDM)的模式，自主开发氮化镓(GaN)电子器件。4英寸氮化镓芯片产线建成，迎接5G无线通信对氮化镓射频芯片的市场需求。
57	江苏能华		GaN	芯片器件	GaN外延片(硅基、碳化硅基、蓝宝石基GaN外延片) GaN功率器件(HEMT、SDB)。
58	英诺赛科		GaN	芯片器件	8英寸硅基GaN功率与射频器件。投资方包括朗玛峰、招银国际、国民创投、珠海科创投、稳盛投资、华业天成投资、富坤兴业、中天汇富、红树成长等
59	大连芯冠		GaN	芯片器件	6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线
60	博方嘉芯		GaN	芯片器件	博方嘉芯总投资25亿元的氮化镓射频及功率器件项目落户嘉兴
61	华通芯电		GaN	芯片器件	华通芯电总投资29亿元建设月产3000片GaN射频芯片和2万片功率半导体芯片落户上海金山区
62	新微半导体		GaN	芯片器件	总投资80亿元的新微半导体第三代化合物半导体制造平台项目签约(4英寸光电和6英寸毫米波、硅基射频和硅基功率器件 )
63	氮矽科技		GaN	芯片器件	GaN电力电子功率器件(分离式氮化镓栅极驱动芯片及增强型氮化镓晶体管)。投资方包括率然投资、品青投资
64	禹创半导体		GaN	芯片器件	GaN电源管理芯片。投资方包括和利资本、欣旺达 (300207)
65	海特高新	002023	GaN	代工	海威华芯6英寸(兼容4英寸)的碳化硅基GaN晶圆代工产线 (基站用GaN代工工艺)。高端氮化镓LED衬底、外延、芯片。
66	中微公司	688012	GaN	设备	智芯通 MOCVD设备(GaN基LED设备)